[18p-G203-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[18p-G203-5] 強誘電体型ヒステリシスを有するLa₂O₃/Si MOSFETの電気特性

〇遠藤 清¹、加藤 公彦¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：半導体

我々は、ALD La₂O₃/InGaAs MOS構造が強誘電体型（反時計回り）のヒステリシスを示し、La₂O₃/InGaAs MOSFETでは、低温で従来のMOSFETの限界値より小さなS.S.が得られることを報告した 。しかしながらこのヒステリシスの起源として、強誘電性に加えイオンドリフトの影響の可能性もある。そこで本研究では、電気特性が比較的理解しやすいLa₂O₃/Si MOS構造およびMOSFETを作製し、そのC-V特性やI_d-V_g特性などを、異なる温度で評価することにより、ヒステリシスの起源および動作原理の解明を試みた。