[18p-P14-1~19] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[18p-P14-3] Observation of dislocations in 4H-SiC epitaxial wafer by mirror projection electron microscopy

〇Toshiyuki Isshiki¹, Takahiro Sato^1,2, Masaki Hasegawa², Kentaro Ohira², Kenji Kobayashi², Atsushi Miyaki², Katsunori Onuki² (1.Kyoto Inst. Tech., 2.Hitachi High-Tech)

Keywords:SiC, crystal defects, mirror projection electron microscopy

ミラー電子顕微鏡は試料の局所電位変化に敏感で，ウェハー表面近傍の転位や積層欠陥を高速で検出できる。4H-SiC エピ層内の転位は基底面転位-貫通刃状転位相互の変換や積層欠陥を挟んだ部分転位への拡張を起こす。エピウェハー表面近傍での転位変換を観察した事例を示し，μエッチピット-SEM 法での評価と合わせて報告する。また，貫通転位対配列の底部をFIB-STEM で観察し，貫通刃状転位が基底面転位ループに拡張している様子も示す。