[18p-P14-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-P14-6] 4H-SiC エピ層中の積層欠陥近傍における単一光子源の発光効率向上

赤堀 周平¹、古川 頼誉²、松下 雄一郎²、大島 武³、〇土方 泰斗¹ (1.埼玉大院理工、2.東京大院工、3.量研)

キーワード：単一光子源、積層欠陥、酸化

4H-SiCエピ層中のダブルショックレー型積層欠陥(2SSF)近傍における様々な表面単一光子源(SPS) に対し、2SSF の無い領域での表面SPS との発光特性の比較検討を行った。今回、発光強度に関して比較を試みたところ、2SSF 近傍の表面SPS はより強い発光強度を有することがわかった。