[18p-P14-1~19] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[18p-P14-7] Formation of Ohmic Contact for p-type 4H-SiC using thinned Al/Ti Layers

〇Akihiro Koyama¹, Hitoshi Ishimori¹, Yoshiyuki Yonezawa¹, Hajime Okumura¹ (1.AIST)

Keywords:SiC, Ohmic, p-type

p型4H-SiCへのオーミックコンタクトとしてTiAl電極が報告されているが、高温熱処理時にAlが揮発し、表面が荒れる問題があった。今回、薄層化したTiAl電極形成条件を検討し、コンタクト抵抗率と表面モフォロジーの両立化を図った。