2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[19a-C101-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年3月19日(月) 09:15 〜 11:45 C101 (52-101)

角嶋 邦之(東工大)

10:45 〜 11:00

▲ [19a-C101-7] Ar+ ion implantation used to reduce temperature for activating B atoms implanted in silicon

〇Keisuke Yasuta1、Takuma Uehara1、Masahiko Hasumi1、Tomokazu Nagao2、Yutaka Inouchi2、Toshiyuki Sameshima1 (1.TUAT、2.NISSIN ION EQUIPMENT Co.)

キーワード：ion implantation, low temperature activation