[19a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19a-C302-2] ホモエピタキシャル成長n型GaN層中の正孔トラップのサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価

〇鐘ヶ江 一孝¹、堀田 昌宏¹、木本 恒暢¹、須田 淳^1,2,3 (1.京大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、正孔トラップ、等温過渡容量分光法

我々は、GaN基板上のMOVPE成長n型GaN層中で支配的なH1トラップの密度の正確かつ簡易な評価方法の確立を目指し、Ni/n-GaNショットキー接合にサブバンドギャップ光を照射したOICTSを行ってきた。しかし、測定から得られるのは見かけのトラップ密度であり、トラップ密度を求めるためには光照射中の正孔占有率を明らかにする必要がある。本研究では、GaN p-n接合ダイオードに対してICTSとOICTSを行い、それらの比較から正孔占有率の評価を試みた。