[19a-C302-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [19a-C302-3] Electron traps in homoepitaxial n-type GaN formed by gamma-ray irradiation

〇(B)Keito Aoshima¹, Kazutaka Kanegae², Masahiro Horita², Jun Suda^2,3,4 (1.Nagoya Univ., Eng., 2.Kyoto Univ., 3.Nagoya Univ. IMaSS, 4.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, gamma-ray, deel level

本研究では、ホモエピタキシャル成長した低転位(~10⁶ cm^-2) GaNに対してガンマ線を照射し、電気的特性評価を行うことで、ガンマ線によってGaN中に形成されるトラップの特定、その生成レートの解明を行うとともに、いまだに統一的な見解が得られていないas-grown GaNにおいて観測される点欠陥の起源を突き止める手掛かりを得ることを目的としている。今回は、ガンマ線によってn型GaNに形成される電子トラップをDLTSにより評価したので報告する。