[19a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19a-C302-4] GaN 基板上 GaN エピ層キャリア再結合の遅い減衰

〇(M1)浅田 貴斗¹、伊藤 健治²、冨田 一義²、成田 哲生²、加地 徹³、加藤 正史^1,3 (1.名工大、2.豊田中研、3.名大)

キーワード：GaN 基板上 GaN エピ層、キャリアライフタイム

我々は以前、GaN 基板上GaNホモエピ層のキャリアライフタイム測定を行い、減衰曲線の0.2 µsまでの速い減衰とそれ以降の遅い減衰を報告した。本研究ではキャリア再結合の遅い減衰に着目し、より広いタイムレンジで観測したキャリア再結合の温度依存性を報告する。確認された減衰成分について、温度依存性はトラップ準位からの放出に関連することが示唆された。