[19a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-C302-5] GaNホモエピ膜のTR-PL信号における遅い時定数成分に対する数値解析

〇加藤 正史^1,3、浅田 貴斗¹、伊藤 健治²、冨田 一義²、成田 哲生²、加地 徹³ (1.名工大、2.豊田中研、3.名大)

キーワード：GaN、時間分解フォトルミネッセンス、深い準位

GaNホモエピ膜はパワーデバイスのドリフト層としての利用が期待されており、その品質評価は重要である。我々は時間分解フォトルミネッセンス(TR-PL)法とマイクロ波光導電減衰法によりn型GaNホモエピ膜を評価してきている。本発表においてはTR-PL信号での遅い時定数成分に対して、深い準位の捕獲・放出の速度方程式を用いた数値解析結果を報告する。