10:15 AM - 10:30 AM
△ [19a-C302-6] Time-resolved photoluminescence characterization of Mg-ion implanted N-polar GaN
Keywords:GaN, Mg-doped p-type GaN, PL lifetime
縦型GaNパワーデバイスの実現に向けて、活性化アニール時の熱的安定性に優れるN極性-c面にイオン注入を行うことにより形成されたGaN:Mgの発光ダイナミクスを報告する。