[19a-C302-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [19a-C302-6] Time-resolved photoluminescence characterization of Mg-ion implanted N-polar GaN

〇Kohei Shima¹, Hiroko Iguchi², Tetsuo Narita², Keita Kataoka², Akira Uedono³, Kazunobu Kojima¹, Shigefusa Chichibu^1,4 (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Toyota Central R&D Labs., 3.Univ. of Tsukuba, 4.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, Mg-doped p-type GaN, PL lifetime

縦型GaNパワーデバイスの実現に向けて、活性化アニール時の熱的安定性に優れるN極性-c面にイオン注入を行うことにより形成されたGaN:Mgの発光ダイナミクスを報告する。