[19a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19a-C302-6] Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

〇嶋 紘平¹、井口 紘子²、成田 哲生²、片岡 恵太²、上殿 明良³、小島 一信¹、秩父 重英^1,4 (1.東北大多元研、2.豊田中央研究所、3.筑波大数物、4.名大IMaSS)

キーワード：窒化ガリウム、Mg添加p型GaN、発光寿命

縦型GaNパワーデバイスの実現に向けて、活性化アニール時の熱的安定性に優れるN極性-c面にイオン注入を行うことにより形成されたGaN:Mgの発光ダイナミクスを報告する。