[19a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-C302-9] 低周波容量DLTS測定によるMOCVD p-GaNのトラップ評価

〇(M1)小木曽 達也¹、徳田 豊¹、成田 哲生²、冨田 一義²、加地 徹³ (1.愛知工大、2.豊田中央研究所、3.名古屋大学)

キーワード：DLTS、p-GaN

n⁺-GaN 基板上にp⁺⁺p^-n⁺接合をMOCVD成長により作成し、p-GaNトラップの評価を行った。通常用いられる1 MHz容量DLTS測定では、Mgアクセプターの凍結のため測定温度が200 K以上に制限される。今回は、1 kHz容量DLTS測定を行うことにより測定温度を110 Kまで広げた。その結果、H_a(0.29 eV)、H_b(0.33 eV)とラベルした正孔トラップを観測できた。またそのトラップ濃度は、高濃度であることが分かった。