[19p-C202-1~17] 17.3 層状物質

[19p-C202-4] 遷移金属ダイカルコゲナイド層状物質の歪みによる物性制御

〇大島 駿太郎¹、豊田 雅之¹、斎藤 晋¹ (1.東工大理)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、歪み

近年注目を集めているⅥ属遷移金属ダイカルコゲナイドについて、その平面単層と単層ナノチューブの電子物性が、二軸歪みおよび一軸歪みによってどのように影響を受けるかについて、第一原理計算による研究を行った結果を報告する。直径の小さいナノチューブは平面単層の場合とは異なり、一軸歪みによって金属に転移するという結果が得られた。本発表ではこの現象の詳細の説明と考察を行う。