[19p-C204-1~17] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[19p-C204-12] Generation & annealing of plasma-induced defects ~ ion-created residual defects ~

〇Shota Nunomura¹, Isao Sakata¹, Koji Matsubara¹ (1.AIST RCPV)

Keywords:plasma-induced defects, defect annealing, a-Si:H

半導体デバイスの作製工程において、プラズマプロセスに関連する欠陥の発生と修復に関する物理化学を理解することは、デバイスの高性能化に向け極めて重要である。通常、プラズマプロセス下の半導体薄膜は、①イオン、②活性種（ラジカル）、③フォトン等の照射によって欠陥が形成されることが知られているが、各粒子種が膜中の何処にどの程度の欠陥を形成するのか、また、これらの欠陥がどのように修復されるのかについての知見は十分に得られていない。本研究では、太陽電池用途の水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)薄膜に各種プラズマを照射し、照射中およびその後の熱アニール時の欠陥の発生と修復に関する知見を得たので報告する。