[19p-C204-1~17] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[19p-C204-13] Generation and annealing of plasma-induced defects ~ activation energy of annealing~

〇Shota Nunomura¹, Isao Sakata¹, Koji Matsubara¹ (1.AIST RCPV)

Keywords:semiconductor devices, defect relaxation, activation energy

プラズマプロセス下の半導体デバイスの欠陥の発生と修復に関するメカニズムを理解することは、デバイスの高性能化に向け有用である。通常、プロセス後のデバイスには多くの欠陥が形成され、欠陥の修復に熱アニールプロセスが多用される。しかしながら、プロセスの種類、材料またはデバイスの構造によって、アニール処理（温度と時間）が異なり、これまで経験的に最適化されてきた。そこで、本研究では、太陽電池用途のa-Si:H薄膜に対し、プラズマおよび各粒子種を照射した際の欠陥形成と熱アニール時の欠陥修復について実験を行ったので報告する。