[19p-C204-1~17] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[19p-C204-14] Model Predictions of Capacitance-Voltage (C-V) Characteristic of Plasma Process-Damaged Si Substrate

〇Takashi Hamano¹, Yoshinori Nakakubo¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:plasma, damage, etching

半導体デバイスの急速な微細化に伴い、プラズマエッチング時に生じるSi基板表面および内部の欠陥がMOSFETの挙動、信頼性に影響を及ぼしている。本研究では、従来の深さ方向プロファイルに加えて、欠陥のエネルギー方向プロファイルを取り入れた包括的なモデルを構築し、C-V曲線をシミュレーションで予測し、特徴的な実験結果と比較する。