[19p-C204-1~17] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [19p-C204-15] First-principles-based prediction of the local structures damaged by plasma exposures

〇Yuta Yoshikawa¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:plasma-induced damage, first-principles simulation, density-of-state

プラズマダメージによるデバイスの電気特性変化を予測するには，電子状態変化を詳細に扱うことが出来る第一原理計算が有効であると考えられる．今回我々は，第一原理計算を用いて，プラズマダメージによる局所構造の電子状態変化を解析した．実プロセスで用いられる元素（Br，Cl）に起因する物理ダメージを想定し，代表的な材料（Si，SiO₂，Si₃N₄）中での電子構造の変化を電子状態密度（Density-of-State, DOS）を基に予測した．