[19p-C204-1~17] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [19p-C204-5] Elucidation of radical adsorption mechanism for atomic layer etching of gallium nitride

〇Masaki Hasegawa¹, Takayoshi Tsutsumi¹, Atsushi Tanide^1,2, Hiroki Kondo¹, Kenji Ishikawa¹, Masaru Hori¹ (1.Nagoya Univ., 2.SCREEN Holdings Co., Ltd.)

Keywords:gallium nitride, atomic layer etching

窒化ガリウム（GaN）の原子層エッチング実現に向け、本研究では、Cl吸着過程に着目し、プラズマビーム装置を用いてClラジカル照射したGaN表面へのCl吸着挙動を調査した。サファイア上に水素化物気相成長したGaNの自然酸化膜を除去した後、ClラジカルとArイオンの照射を1サイクルとして、合計3サイクル行った基板表面ではGaNの結晶組成N/Ga～1に窒素の割合が回復した。表面状態に依存したClラジカル吸着挙動について考察する。