[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-14] RIE-GaN表面へのAlGaN直接成長によるAlGaN/GaN構造の電気的特性におけるRIE損傷層除去効果

〇山本 高勇¹、金谷 彗杜¹、牧野 伸哉¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：GaN、RIE

RIE-GaN表面へのAlGaNの直接成長によって作製したAlGaN/RIE-GaN構造において1300 cm²/Vsを超える移動度が得られることを既に報告した。しかし、RIE加工表面には表面汚染が存在するため高移動度を再現性よく得るのが困難であった。今回、HCl処理による損傷層・表面汚染の除去によるAlGaN/GaN構造の電気的特性の改善を実現した。