[19p-C302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-C302-16] Growth of InAlGaN/AlGaN heterostructures by MOCVD and thermal stability evaluation of their 2DEG properties

〇(M1)Daiki Hosomi¹, Heng Chen¹, Takashi Egawa¹, Makoto Miyoshi¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:MOCVD, InAlGaN

MOCVD法によってInAlGaN/AlGaNヘテロ構造を成長し，Hall効果測定によって2DEG特性の熱的安定性を評価したところ，従来のInAlN/AlGaNヘテロ構造と比較して熱的安定性の改善が確認できたため報告する．