[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-16] MOCVD法によるInAlGaN/AlGaNヘテロ構造の成長とその2DEG特性の熱的安定性評価

〇(M1)細見 大樹¹、陳 珩¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大)

キーワード：MOCVD、InAlGaN

MOCVD法によってInAlGaN/AlGaNヘテロ構造を成長し，Hall効果測定によって2DEG特性の熱的安定性を評価したところ，従来のInAlN/AlGaNヘテロ構造と比較して熱的安定性の改善が確認できたため報告する．