[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-2] Mgイオン注入GaN MOSFETのチャネル特性向上

〇高島 信也¹、田中 亮¹、上野 勝典¹、松山 秀昭¹、江戸 雅晴¹、小島 一信²、秩父 重英^2,3、上殿 明良⁴、中川 清和⁵ (1.富士電機、2.東北大、3.名大、4.筑波大、5.山梨大)

キーワード：GaN、MOSFET、イオン注入

前回、[Mg] 1E18cm-3注入GaN層上にて横型MOSFET動作を実現した。本発表では特性改善として、活性化熱処理後の表面荒れ抑制、およびゲート絶縁膜の形成条件を見直した結果、横型MOSFETのチャネル移動度として約110cm2/Vsが得られ、エピ層上と同等の高移動度をMg注入層上においても得ることができた。