[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-C302-6] リセスゲートAlGaN/GaN MOS-HFETへのAlONゲート絶縁膜の導入

〇(M2)渡邉 健太¹、野崎 幹人¹、山田 高寛¹、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム、ヘテロ接合電界効果トランジスタ