[19p-C302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [19p-C302-7] Operation stability in Al₂O₃-gate AlGaN/GaN MOS HEMT

〇(M1)Yuji Ando¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, HEMT

AlGaN/GaN MOS HEMTにおいて絶縁膜/AlGaN界面は不明な点が多く、それに起因した動作不安定性が課題となっている。ここでは、Al₂O₃/AlGaN/GaN HEMTを作製し、大気アニール処理を施すことによりしきい値電圧安定性の向上を試みた。作製したMOS HEMTを用いて、25℃から200℃まで25℃ステップで昇温しV_DS=15Vの条件でそれぞれI_D-V_G特性をLogプロットした結果、昇温とともにリーク電流の増加、SSの増加が観測されたがΔV_th<0.5Vと比較的高い温度安定性が確認された。