[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-C302-7] Al₂O₃-gate AlGaN/GaN MOS HEMTの動作安定性

〇(M1)安藤 祐次¹ (1.北大量集センター)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ

AlGaN/GaN MOS HEMTにおいて絶縁膜/AlGaN界面は不明な点が多く、それに起因した動作不安定性が課題となっている。ここでは、Al₂O₃/AlGaN/GaN HEMTを作製し、大気アニール処理を施すことによりしきい値電圧安定性の向上を試みた。作製したMOS HEMTを用いて、25℃から200℃まで25℃ステップで昇温しV_DS=15Vの条件でそれぞれI_D-V_G特性をLogプロットした結果、昇温とともにリーク電流の増加、SSの増加が観測されたがΔV_th<0.5Vと比較的高い温度安定性が確認された。