[19p-D103-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-D103-16] 高濃度Alドープ4H-SiCの抵抗率とホール係数の活性化エネルギーの比較

〇西畑 凜哉¹、竹下 明伸¹、今村 辰哉¹、高野 晃大¹、奥田 和也¹、日高 淳輝¹、松浦 秀治¹、紀 世陽²、江藤 数馬²、児島 一聡²、加藤 智久²、吉田 貞史²、奥村 元² (1.阪電通大、2.産総研)

キーワード：高濃度Alドープ4H-SiC、抵抗率、ホール係数

オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，基板であるp⁺型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である。高温でバンド伝導、低温で最近接ホッピング（NNH）伝導を示す高濃度Alドープp型4H-SiCにおいて、Al濃度が高くなるほどホール係数が反転する温度が高温側になり、バンド伝導の領域で反転した。さらに、バンド伝導とNNH伝導のそれぞれの領域において、抵抗率とホール係数の活性化エネルギーが一致した。