[19p-D103-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [19p-D103-7] 近接昇華法による6H-SiC単層へのB,Nの高濃度コドーピングの検討

〇(B)田中 大稀¹、黒川 広朗¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：昇華法、結晶成長、BN

蛍光SiCは高演色白色LEDの蛍光体として期待されている。蛍光SiCはDAP発光を呈するため、高効率化には120um程度の厚膜成長及び、ホウ素と窒素の高濃度コドーピングが不可欠となる。本研究では成長速度に優れた近接昇華法を用いて高濃度コドーピングに適したドーピングソースの模索をBNを中心に行った。また、得られたB,N濃度の結果からBNには成長環境をSi-richにする効果があることを明らかにした。