[19p-E202-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～格子欠陥はどこまで制御できるのか：先端評価と機能探索～

[19p-E202-6] GaN中転位の三次元観察と転位がパワーデバイスに与える影響

〇田中 敦之^1,2、宇佐美 茂佳³、安藤 悠人³、永松 謙太郎¹、久志本 真希³、出来 真斗¹、新田 州吾¹、本田 善央¹、天野 浩^1,2,4,5 (1.名大未来材料・システム研究所、2.物材機構、3.名大院工、4.名大赤崎記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード：窒化ガリウム、転位、パワーデバイス