[19p-F202-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-F202-13] 固相成長法によるRu₂Si₃薄膜の作製と電気特性評価

〇瀬戸島 健太¹、池田 修哉¹、扇 和也¹、岡 直大¹、寺井 慶和¹ (1.九工大情工)

キーワード：ルテニウムシリサイド、固相成長法、電気特性