[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-23] In–W–Zn–Oチャネルによる薄膜トランジスタの高移動度化とその信頼性

〇(DC)是友 大地¹、橋本 優太¹、濱田 秀平¹、宮永 美紀²、古田 守¹ (1.高知工大、2.住友電工)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ、高移動度

スイッチングデバイスである薄膜トランジスタ（TFT）の高移動度化は、需要が高まる有機ELディスプレイのピーク輝度向上や、高精細・高フレームレートディスプレイにとって不可欠である。酸化物半導体は非晶質においても高い移動度を有し、大面積均一性、既存装置との親和性が高いことから実用化が加速している。本研究では、InO_xをベースとしてWとZnをドーピングしたIn–W–Zn–O（IWZO）を用いて高移動度・高信頼性IWZO TFTの作製に取り組んだ。