[19p-P5-1~39] 6.3 Oxide electronics

[19p-P5-4] Probe load dependence of sefl-oscillation properties of VO₂ films on conductive TiN layers

〇Ryuta Tobe¹, Tomohiro Aoto¹, Yosuke Kitagawa¹, Keisuke Mamiya¹, Kunio Okimura¹ (1.Tokai Univ.)

Keywords:VO2, self-oscillation

二酸化バナジウム(VO₂)は68℃付近で絶縁体-金属相転移を起こし4-5桁に渡る抵抗値の変化を示す. また, 相転移は電圧印加によっても発生することからスイッチング素子や発振素子としての応用が期待されている. 今回我々はVO₂の電気的特性の測定に用いる探針の荷重を変化させることで探針荷重で発振周波数を制御することに成功した. 発表では得られた発振特性の報告と, 探針荷重がVO₂の発振特性に及ぼす影響について考察する.