[19p-P5-1~39] 6.3 Oxide electronics

[19p-P5-5] Oriented-growth of phase transitionVO₂ films and the effect of grain boundary diffusions by introduction of (111)-oriented TiN substrates

〇Tomohiro Aoto¹, Kunio Okimura¹ (1.Tokai Univ.)

Keywords:Vanadium dioxide, Titanium nitride

二酸化バナジウム (VO₂) は, 68℃付近において絶縁体-金属相転移 (Insulator-Metal Transition: IMT) を起こす. また, この相転移が電圧印加によるジュール熱による蓄積によっても発現する. 我々は, 今までに低電圧スイッチングを可能とする導電性TiN層上へのVO₂薄膜の多結晶成長について報告した. 本研究では, TiN(111) 配向基板を導入することでVO₂のb軸配向成長に成功した一方で, 成膜時の基板加熱によるTi原子の粒界拡散が促進された.