[20a-B401-1~6] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[20a-B401-2] 設計技術同時最適化の革新：１層マスク液浸露光方式に於ける近接効果補正のショットカウント最適化

〇門田 和也¹ (1.ナノサイエンスラボ)

キーワード：半導体、近接効果補正、計算機シミュレーション

本論文は、最も汎用ニーズの高い16nmノード世代を１層マスクの液浸リソグラフィー(SPT: Single Pattern Technology)で実施する場合、大容量化・複雑化するマスクデータ、及びマスク描画時間の長大化の課題に対処すべきレイアウト設計指針を計算機シミュレーションとマスク描画実験により検討した。