[20a-B403-1~10] 7.5 イオンビーム一般

[20a-B403-3] ガスクラスターイオンビームを用いた低損傷表面活性化接合の検討

〇(M1)池田 翔太¹、豊田 紀章¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：ガスクラスターイオンビーム、表面活性化接合

ArイオンやAr-FABの替わりに、原子や分子が数十から数百個集合(クラスター)した原子集団をイオン化・加速し、試料表面に照射するGCIBを用いて、低損傷表面活性化接合を検討している。本研究では、InP単結晶基板にGCIBを斜入射で照射し、照射条件による損傷の違いについて評価し、低損傷表面活性化接合を検討した。