[20a-B403-1~10] 7.5 イオンビーム一般

[20a-B403-5] Si基板表面への低エネルギーGaイオン照射によるナノ突起構造の形成と評価

〇鈴江 巧¹、柳沢 淳一¹ (1.滋賀県立大工)

キーワード：Si、Gaイオン照射

Si表面に低エネルギーでGaイオンを照射すると、条件によって表面にナノサイズの突起が形成される。これまで突起構造ができる照射条件が調べられ、突起構造が及ぼす性質として接触角が測定された。本研究では、基板を斜めにしてイオン照射を行い、形成される突起構造の評価を行った。また、イオン照射を行った基板はどれも一様に白っぽく見えたので、付着したGaの影響を調べるために、照射を行った基板に対して塩酸処理を行った。