[20a-C101-1~11] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[20a-C101-10] Fabrication of pH-ISFETs with SiO₂ Sensing Layer by Using Minimal Fab

〇Tomoaki Kageyama^1,3, Kazuhiro Koga², Sommawan Khumpuang^3,2, Shiro Hara^3,2, Sang-Seok Lee¹ (1.Tottori Univ., 2.MINIMAL, 3.AIST)

Keywords:ISFET, pH sensor, Minimalfab

イオン感応型電界効果トランジスタ(ISFET)はCMOSプロセスとの親和性の高さから，CMOS混載IoTセンサとして重要である．IoTセンサ市場は個別用途向け，所謂ロングテールの占める割合が大きい．この研究開発と生産には，個別生産向けのミニマルファブが適している．我々は，実用化されたミニマルファブ装置群を用いてpH-ISFETを作製し，評価した．