[20a-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20a-C101-10] ミニマルファブを用いたSiO₂イオン感応膜pH-ISFETの作製

〇影山 智明^1,3、古賀 和博²、クンプアン ソマワン^3,2、原 史朗^3,2、李 相錫¹ (1.鳥取大、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

キーワード：ISFET、pHセンサ、ミニマルファブ

イオン感応型電界効果トランジスタ(ISFET)はCMOSプロセスとの親和性の高さから，CMOS混載IoTセンサとして重要である．IoTセンサ市場は個別用途向け，所謂ロングテールの占める割合が大きい．この研究開発と生産には，個別生産向けのミニマルファブが適している．我々は，実用化されたミニマルファブ装置群を用いてpH-ISFETを作製し，評価した．