[20a-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20a-C101-11] ミニマルファブプロセスによるダイヤモンドSAWデバイスの作製(2)

根川 雅也¹、亀濱 博紀¹、〇藤井 知^1,2、遠江 栄希³ (1.沖縄高専、2.東工大、3.横河ソリューション)

キーワード：SAWデバイス、ミニマルファブ、ダイヤモンド

我々は、ミリ波帯におけるSAWデバイスの実現に向け、ミニマルファブを用い、ハーフインチ単結晶ダイヤモンド上にSAWデバイスの試作を行っている。今回、単結晶ダイヤモンド上にAlN圧電体薄膜をECRにて形成、次に、ミニマルファブによりアルミ電極パターンを形成し、2.6GHzのダイヤモンドSAW共振子を完成させ、その評価を行った。講演では、試作内容やその特性について詳細に報告する。