[20a-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20a-C101-7] ゲートファーストプロセスによるサブミクロンゲートミニマルSOI-CMOS作製

〇柳 永シュン¹、佐藤 和重²、田中 宏幸^1,2、古賀 和博²、クンプアン ソマワン^1,2、長尾 昌善¹、松川 貴¹、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ)

キーワード：ミニマルファブ、サブミクロンゲート

今まで、我々はSOD (Spin on dopant)固相拡散によるゲートラスト(Gate-Last)プロセスでミニマルSOI-CMOSの開発を行ってきた。今回は、イオン注入(Ion implantation: I/I)によるゲートファースト(Gate-First)プロセスでサブミクロンゲートミニマルSOI-CMOSを作製し、その電気特性評価を行った。