[20a-C202-1~8] 17.3 層状物質

△ [20a-C202-2] MoS₂の配向成長と面内ヘテロ構造体への展開

〇末永 健志朗¹、白土 喜博¹、ディン ドン¹、河原 憲治^3,2、日比野 浩樹²、吾郷 浩樹^1,2 (1.九大院総理工、2.グローバルイノベーションセンター、3.関学理工)

キーワード：二硫化モリブデン、配向成長、面内ヘテロ構造体

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）の一種である二硫化モリブデン（MoS_​2）は、n型半導体特性や光応答性などの優れた特性を持ち、光・電子デバイスへの応用が期待されている二次元材料である。本研究ではMoS_​2の前駆体である硫黄（S）と酸化モリブデン（MoO_​3）の供給比を温度によって系統的に変化させることでMoS_​2の新たな配向成長の発現を見出した。また、その配向成長を利用して他の二次元材料との面内ヘテロ構造体へ展開した。