[20a-C204-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [20a-C204-10] Study on the low temperature and highly efficient deposition process of Silicon Oxide Gate Dielectric layers Using Atmospheric Pressure Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

〇Yuichiro Kimoto¹, Koji Terawaki¹, Hiroshi Yamasaki¹, Takeshi Maekawa¹, Hiromasa Ohmi¹, Hiroaki Kakiuchi¹, Kiyoshi Yasutake¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:semiconductor, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, Gate Dielectric layers

フレキシブルデバイスに用いる薄膜トランジスタではPEN (Polyethylene Naphthalate)等のプラスチックフィルム上にゲート絶縁膜を形成する必要がある. 我々は大気圧プラズマCVD法を用いた低温かつ高速な成膜技術の開発を進めている．今回，基板温度とプラズマ中O₂濃度が膜構造の特性に及ぼす影響を検討した．さらにPENフィルム上にSiO_X薄膜を形成し，その特性についても調査した．