[20a-C204-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [20a-C204-10] 大気圧プラズマCVDによるSiO_Xゲート絶縁膜の低温・高能率形成プロセスの研究

〇木元 雄一朗¹、寺脇 功司¹、山﨑 啓史¹、前川 健史¹、大参 宏昌¹、垣内 弘章¹、安武 潔¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体、プラズマ化学気相成長法、ゲート絶縁膜

フレキシブルデバイスに用いる薄膜トランジスタではPEN (Polyethylene Naphthalate)等のプラスチックフィルム上にゲート絶縁膜を形成する必要がある. 我々は大気圧プラズマCVD法を用いた低温かつ高速な成膜技術の開発を進めている．今回，基板温度とプラズマ中O₂濃度が膜構造の特性に及ぼす影響を検討した．さらにPENフィルム上にSiO_X薄膜を形成し，その特性についても調査した．