[20a-D103-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-D103-4] 第一原理計算による積層構造が生み出すSiC/SiO₂界面における新たなタイプの界面準位

〇松下 雄一郎¹、押山 淳¹ (1.東大院工)

キーワード：SiC、界面、界面準位

本研究では、SiC/SiO₂界面近傍における積層構造が界面電子状態に決定的な影響を及ぼすこと、また新たなタイプの界面準位を誘起することを理論計算によって明らかにした。特に、hexagonal界面（ABCB-stacking/ SiO₂）においては、伝導帯下端(CBM)+1.2eVの位置に界面準位を生じ、一方、積層欠陥界面（ABCA-stacking/ SiO₂）では、CBM-0.3eVの位置に界面準位が生じることを明らかにした。