[20a-D103-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [20a-D103-8] Visualizing the Distributions of Interface States Close to the Conduction Band by Local Deep Level Transient Spectroscopy at Low Temperatures (2)

〇Takayuki Abe¹, Yuji Yamagishi¹, Yasuo Cho¹ (1.RIEC, Tohoku Univ.)

Keywords:interface states, SNDM, DLTS

SiO₂/SiC界面欠陥のうち伝導帯端近傍に高密度で分布する欠陥がMOSデバイス実用化の妨げになっている。界面準位密度分布を2次元的に評価可能な局所DLTS法を低温で行い、Si面、C面共により浅い準位が多く分布することを確認した。また、容量特性を評価可能なSNDM法を同時に行い、低温で2次元分布の相関が強くなること、及びSNDM像にも界面準位の影響が含まれることを考察した。