[20a-E201-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-E201-6] Ga₂O₃ (010)基板上にRF-MBE成長した(AlGa)₂O₃薄膜の構造解析

リンガパルティ ラビキラン¹、中田 義昭¹、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、〇東脇 正高¹ (1.情通研機構、2.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、分子線エピタキシー、(AlGa)2O3

我々は、これまで主にパワーエレクトロニクスへの応用を目指したGa₂O₃トランジスタ、ショットキーバリアダイオードの開発について報告してきた。今回、横型Ga₂O₃ FETのバックバリアとしての応用を念頭に、β-Ga₂O₃ (010)基板上に(AlGa)₂O₃薄膜のRF-MBE成長を行い、その構造評価を行ったので報告する。