[20a-E201-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-E201-9] NiO/β-Ga₂O₃ヘテロ接合フォトダイオードの紫外線検出特性

〇中込 真二¹、佐々木 光¹、目黒 真也¹、國分 義弘¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ガリウム、酸化ニッケル、フォトダイオード

NiO/β-Ga₂O₃ヘテロ接合フォトダイオードの紫外線検出特性を評価した。UV照射強度の増加に伴って電流-電圧特性全体が逆方向電流側にシフトする変化を示した。分光感度特性では, β-Ga₂O₃側からの照射で290 nmに, NiO側からの照射で335 nmに最大感度をもつ。約150μs幅で照射したUV光パルスに追随して, 逆方向電流が応答することが確認できた。