[20a-F202-1~9] 1.5 計測技術・計測標準

[20a-F202-1] 応力誘起光散乱法を利用したSiC基板表層のマイクロスクラッチ検出の試み

〇坂田 義太朗¹、寺崎 正¹ (1.産総研)

キーワード：応力誘起光散乱法、シリコンカーバイド、マイクロスクラッチ

エレクトロニクス製品製造において重要な加工プロセス技術の一つとして位置付けられている精密研磨技術は，その原理から，製品表層にマイクロスケールのクラック(マイクロスクラッチ)を形成させてしまうことがある．著者らは，研磨処理後の製品表層に発生した潜傷を選択的に検出する応力誘起光散乱法を開発した．本研究では，単結晶材料であるSiCに対して応力誘起光散乱法を適用し，本手法の有用性について評価を試みた．