[20a-F202-1~9] 1.5 Instrumentation, measurement and Metrology

[20a-F202-1] Attempt to Detect Micro Scratch on Surface of SiC Substrate Using Stress Induced Light Scattering Method

〇Yoshitaro Sakata¹, Nao Terasaki¹ (1.AIST)

Keywords:stress-induced light scattering method, SiC, micro-scratch

エレクトロニクス製品製造において重要な加工プロセス技術の一つとして位置付けられている精密研磨技術は，その原理から，製品表層にマイクロスケールのクラック(マイクロスクラッチ)を形成させてしまうことがある．著者らは，研磨処理後の製品表層に発生した潜傷を選択的に検出する応力誘起光散乱法を開発した．本研究では，単結晶材料であるSiCに対して応力誘起光散乱法を適用し，本手法の有用性について評価を試みた．