[20p-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-C101-1] ミニマル光学干渉式膜厚計の性能評価

〇梅山 規男^1,2、三浦 典子²、佐藤 和重²、波田 美耶子³、西里 洋³、森山 匠⁴、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.堀場エステック、4.堀場製作所)

キーワード：ミニマルファブ、光干渉、膜厚計

ミニマルファブでは評価・テストの即効性を重視しておりインライン膜厚計が必要である。ミニマル装置を用いた酸化膜形成には、抵抗加熱・集光加熱・レーザ加熱の3種類がラインナップされ、小さなハーフインチウェハを用いる為、ウェハ面内の有効面積確保が重要であり、測定時に小さなスポット径を要する。装置はコンパクト化の為、分光エリプソメトリ―法でなく光学干渉式を用いた。この装置開発と性能評価について報告する。